台积电2nm工艺庞大突破!2023年投入试产

 97vvv男人的天堂     |      2020-11-18 05:57

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  这几年,天字一号代工厂台积电在新工艺挺进上简直是开挂清淡的存在,7nm工艺周详遍及,5nm工艺一起领先,3nm工艺近在面前目今,2nm工艺也挺进神速。

  按照最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项庞大的内部突破,虽未吐露细节,但是据此笑不都雅展望,2nm工艺有看在2023年下半年进走风险性试产,2024年就能步入量产阶段。

  台积电还外示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时一连摩尔定律,不息挺进1nm工艺的研发。

  台积电展望,苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有看率先采纳其2nm工艺。

  2nm工艺上,台积电将屏舍一连多年的FinFET(鳍式场效答晶体管),甚至不行使三星规划在3nm工艺上行使的GAAFET(环绕栅极场效答晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效答晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。

  从GAAFET到MBCFET,从纳米线到纳米片,能够视为从二维到三维的跃进,能够大大改进电路限制,降矮漏电率。

  自然,新工艺的成本越发会成为天文数字,三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4.8亿美元,3nm GAAFET上会大大超过5亿美元。

  台积电很少吐露详细工艺节点上的投入数字,但是行家能够铺开往想象了……

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